2020年8月12日至15日，低温技术安徽省重点实验室张忠政博士至广州参加第二十一届电子封装技术国际会议（ICEPT2020），会议作为国际上电子封装领域四大品牌会议之一，得到了国际电气电子工程师协会电子封装学会（IEEE-EPS）、中国电子学会和中国科协的全力支持。此次会议由中国科学院微电子所、国际电气电子工程师协会电子封装学会（IEEE-EPS）和中国电子学会电子制造与封装技术分会（CIE-EMPT）主办，广东工业大学承办、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司协办。

    会议期间，张忠政博士做了题为“Universal analytical solution to the temperature rise of substrate with on-chip hotspot”专题报告，阐述了高功率电子器件中局部热点对衬底温升的影响，理论上通过三维稳态拉普拉斯方程推导得到了衬底的温度场分布的通用函数形式，数值计算结果与有限元仿真结果误差小于2.2%，并得到了一系列拟合的五阶多项式，可以便捷的预测局部热点对衬底温升的影响。